2-29 晶体管的输出特性曲线是什么？

输出特性是指当基极电流I_B为常数时，集电极电流I_C与集-射极电压U_CE的关系曲线，即

I_B的取值不同，可得出不同的特性曲线，所以晶体管的输出特性是一簇曲线，如图2-23所示。对应于晶体管的三种工作状态，可将输出特性分为三个区，即截止区、放大区和饱和区。

（1）截止区 I_B=0的曲线下面的区域为截止区。在此区域内，I_C=I_CEO≈0，集电极与发射极间截止区呈现高电阻状态，相当于一个断开的开关。为了使晶体管可靠截止，通常给发射结加上反向偏置电压，所以晶体管处于截止状态的工作条件是发射结、集电结均处于反向偏置。

（2）放大区 输出特性曲线近乎水平且间距较均匀的部分称为放大区。在放大区，I_C的变化仅取决于I_B的变化，而与U_CE的变化几乎无关，呈现恒流特性，即βI_B。晶体管处于放大状态时，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。

（3）饱和区 特性曲线上升段拐点连接线左侧区域称为饱和区，这一区域包括了所有I_B值下输出特性曲线的起始部分。由图2-20所示的实验电路可知，晶体管集-射极电压U_CE=U_CC-I_CR_C，或I_C=（U_CC-U_CE）/R_C。当U_CE很小时，I_C≈U_CC/R_C，此后即使I_B再增大，I_C也不再增大，即I_C不再受I_B的控制，晶体管进入饱和状态。

晶体管处于饱和时的集电极电流称为饱和电流，用I_CS表示；饱和时集射极电压称为饱和电压降，用U_CES表示。U_CES的值很小，硅管约为0.3V，锗管约为0.1V，一般认为U_CES≈0，集射极间相当于一个接通的开关。

晶体管饱和的条件是发射结、集电结均正向偏置。

放大区、截止区和饱和区都是晶体管的正常工作区。晶体管作放大使用时，工作在放大区。晶体管作开关使用时，工作在饱和区和截止区。