2-28 晶体管的输入特性曲线是什么？

晶体管的特性曲线反映了晶体管各极电压与电流之间的关系，是分析晶体管相关电路的重要依据。最常用的是共发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。特性曲线可用晶体管图示仪直观地显示出来，也可用实验电路进行测绘。

输入特性曲线是当集电极与发射极之间的电压U_CE保持不变时，基极电流与基-射极电压之间的关系，即

其特性曲线如图2-22所示。

当U_CE≥1V时，晶体管处于放大状态，基极电流的变化主要受U_BE的控制，而U_CE对I_B的影响则很小，所以U_CE≥1V以后的输入特性基本上是重合的。

晶体管的输入特性和二极管的伏安特性相似，也有一段死区，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。当发射结外加电压大于死区电压时，晶体管才完全进入放大状态。在正常工作情况下，硅管发射结的正向电压降约为0.7V，锗管发射结的正向电压降约为0.3V。