2-30 晶体管的主要参数有哪些？

1.电流放大系数β

晶体管的电流放大系数有静态电流放大系数和动态电流放大系数。

晶体管接成共发射极电路，当输入信号为零时，集电极电流I_C与基极电流I_B的比值称为静态（直流）电流放大系数，即

当输入信号不为零时，在保持U_CE不变的情况下，集电极电流的变化量ΔI_C与基极电流的变化量ΔI_B的比值称为动态（交流）电流放大系数，即

与β具有不同的含义，但在输出特性的线性区，两者数值较为接近，一般不做严格区分。常用的小功率晶体管，β值在30～200之间，大功率管的β值较小。β值太小时，晶体管的放大能力差；β值太大时，晶体管的热稳定性能差，通常以100左右为宜。

2.穿透电流I_CEO

在基极开路，集电结处于反向偏置，发射结处于正向偏置的条件下，集电极与发射极之间的反向漏电流称为穿透电流，用I_CEO表示。I_CEO受温度影响很大，当温度上升时，I_CEO增加得很快。选用晶体管时，I_CEO应尽可能小。

3.集电极最大允许电流I_CM

集电极电流I_C超过一定值时，晶体管的β值会下降。当β值下降到正常值的2/3时所对应的集电极电流，称为集电极最大允许电流I_CM。

4.集电极最大允许耗散功率P_CM

集电极电流通过集电结时，产生的功率损耗使集电结温度升高，当结温超过一定数值后，将导致晶体管性能变坏，甚至烧毁。为使晶体管的结温不超过允许值，规定了集电极最大允许耗散功率P_CM。P_CM与I_C和U_CE的关系为

P_CM=I_CU_CE

根据上式，可在输出特性曲线上做出一条P_CM曲线，如图2-24所示。曲线右侧区域为过损耗区，曲线左侧区域为安全工作区。

5.反向击穿电压U_{（BR ）CEO}

基极开路时，集电极与发射极之间的最大允许电压称为反向击穿电压U_（BR）CEO，实际值超过此值将会导致晶体管因击穿。

晶体管还有其他参数，在使用时可根据需要查阅器件手册。