5.6 4H-SiC半超结VDMOSFET的单粒子效应加固技术

• 书名：纳米CMOS器件及电路的辐射效应
• 作者名：刘保军 刘小强 刘忠永
• 本章字数：5438字
• 更新时间：2021-04-30 21:43:40