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纳米CMOS器件及电路的辐射效应
更新时间:2021-04-30 21:43:49 最新章节:参考文献
书籍简介
本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响,涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等,综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响,从器件、电路角度建模分析,给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。本书对高“k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术进行了分析和讨论,还给出了单粒子串扰的建模方法以及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。
上架时间:2021-04-01 00:00:00
出版社:电子工业出版社
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- 会员本书共分5章,第1章介绍多晶硅纳米薄膜及压力传感器的研究现状,第2章介绍工艺条件对多晶硅纳米薄膜特性的影响,第3章研究多晶硅纳米薄膜的杨氏模量,第4章研究多晶硅纳米薄膜的压力传感器应用,第5章介绍多晶硅纳米薄膜压力传感器的测试与分析。自然0字
- 会员本书介绍了李群和李代数的基本概念、李群和李代数的表示及其约化,并讨论抽象的数学概念和原理与物理学的概念和原理之间的联系,李群和李代数在粒子物理和基本相互作用研究中的应用,多粒子系统的代数研究方法及其在原子核、分子、超导等系统中的应用,在实际科学研究与基础理论学习之间架起桥梁。全书内容分八章,第一章介绍李群和李代数的基本概念,第二章介绍半单李代数及其根系,第三章介绍典型李代数的实现,第四章介绍典型李自然0字
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