- 纳米CMOS器件及电路的辐射效应
- 刘保军 刘小强 刘忠永
- 166字
- 2021-04-30 21:43:27
2.5 本章小结
本章首先介绍了两个仿真平台Sentaurus TCAD和Silvaco TCAD,然后详细介绍了器件仿真中使用的物理模型,包括三个基本的半导体方程、载流子统计模型、载流子复合模型、迁移率模型、碰撞电离模型、单粒子模型和量子效应模型,其中迁移率模型包括Analytic模型、Fldmob模型和CVT模型;载流子复合模型包括 Shockely-Read-Hall 复合模型和 Auger 复合模型;载流子统计模型包括Fermi-Dirac统计模型和禁带变窄(BGN)模型。