- 纳米CMOS器件及电路的辐射效应
- 刘保军 刘小强 刘忠永
- 873字
- 2021-04-30 21:43:26
2.2 Silvaco TCAD仿真软件介绍
Silvaco 的中文名是矽谷科技公司,它是现今市场上唯一能够为芯片代工厂提供最完整解决方案和IC软件的厂商,也是能够提供TCAD工艺和器件模拟、SPICE参数提取、高速精确电路仿真、全定制IC设计与验证等功能的EDA公司,是国内外半导体研究人员通用的工艺和器件仿真软件。
Silvaco TCAD 可实现半导体器件的工艺、器件仿真及小规模的器件与电路混合仿真,能够精确预测工艺结果,以及器件的电学、光学和热学特性。该软件的功能有一维、二维和三维工艺仿真,二维和三维器件仿真,并且提供一些交互式工具。Silvaco TCAD的主要仿真功能及模块如表2.2所示[4]。
表2.2 Silvaco TCAD的主要仿真功能及模块
Silvaco 的所有命令文件及各仿真器的调用都在实时运行环境 DeckBuild 中完成,其仿真流程如图 2.3 所示[4-5]。首先由工艺仿真器 ATHENA 或器件编辑器DevEdit 得到二维(或三维)器件结构,然后通过器件仿真器 ATLAS 求解器件特性,所得结果显示在实时输出窗口或通过可视化工具Tonyplot显示。使用器件编辑器 DevEdit 生成器件的二维仿真结构,DevEdit 中的“区域”由一系列“点”构成,因此可以很灵活地控制器件结构的轮廓。另外,DevEdit 还能直接编辑由工艺仿真器 ATHENA 得到的结构,可对其重新划分网格。网格的划分将直接影响下一步器件仿真的精度,网格点(node)数越多,精度越高,但仿真效率会急剧下降,因此在精度与仿真效率之间要进行折中。注意,Silvaco 中的网格点总数不宜过多。
图2.3 仿真流程
当进行单粒子效应仿真时,划分网格需要注意以下几点:(1)沟道要细化网格,特别是栅极两端的交界处;(2)器件的敏感区要细化网格;(3)粒子入射位置也要细化网格。
器件仿真器 ATLAS 的仿真流程如图 2.4 所示[5]。首先对器件结构进行描述,由Mesh、Region、Electrode和Doping分别定义器件的网格、区域、电极和掺杂分布等信息。然后对材料模型进行描述,由 Material、Models、Contact 和Interface 分别对材料参数(包括材料名称、禁带宽度和相对介电常数等)、物理模型(详见2.3节)、接触特性和界面特性进行定义。随后由Method定义仿真中所用的数值计算方法,包括 Newton、Gummel、Block 迭代法等。接着进行求解描述,由 Solve 指令施加电压和电流,由 Log 和 Save 分别将结果保存为日志文件和结构文件。最后由Extract和Tonyplot分别对仿真结果进行提取和显示。
图2.4 器件仿真器Atlas的仿真流程