2.5　线路杂散电感对IGBT电气特性的影响

线路杂散电感会对IGBT的开关过程以及VDR的反向恢复过程产生影响。现基于前面所建立的IGBT模型和Buck电路，对母排杂散电感分别为30nH、60nH、90nH、120nH的情况进行仿真，电容的杂散电感为20nH，单个IGBT模块的杂散电感为6nH。

仿真得到的开通过程和关断过程的IGBT电流、端电压波形如图2-32所示。从图2-32（a）可以看出，随杂散电感的增大，IGBT开通过程中的电流上升率减小，从而开通电流的上升时间增加，使得IGBT开通时间t_on变长。从图2-32（b）可以看出，随杂散电感的增大，杂散电感的感应电压引起的端电压波形凹陷变深，从而使开通功耗会减小。从图2-32（c）可以看出，随杂散电感的增大，IGBT关断电流的下降率减小，从而使得电流拖尾时间变长。从图2-32（d）可以看出，随杂散电感的增大，IGBT关断过程中的电压冲击变高，从而使关断损耗有所增加。过大的电压冲击有可能损坏IGBT模块，应采取措施对此过冲电压进行抑制。