小结

（1）半导体中掺入不同的有用杂质，可分别形成P型和N型两种杂质半导体。它们是各种半导体器件的基本材料。

（2）PN结的重要特性是单向导电性，它是构成各种半导体器件的基本结构。单个PN结加上封装和引线就构成二极管，二极管的内部结构就是一个PN结，因此二极管也具有单向导电特性。二极管正偏时，PN结导通，表现出很小的正向电阻；二极管反偏时，PN结截止，反向电流极小，表现出很大的反向电阻。

（3）二极管正向偏置时存在死区电压U_T，只有正向电压大于二极管的死区电压U_T时，二极管才正式导通；二极管反向偏置时，存在反向击穿电压U_BR，当二极管的反向电压小于U_BR时，二极管处于截止状态，当二极管的反向电压大于U_BR时，二极管反向击穿，反向电流急剧增大。

（4）二极管的主要用途就是整流元件。常见整流电路有单相半波、全波及桥式三种电路。

（5）三极管具有电流放大作用，即。三极管的输入特性与二极管的正向特性相似；三极管的输出特性分为放大区、饱和区和截止区3个工作区，三极管作放大使用时工作在放大区，三极管作开关使用时，工作在饱和区和截止区。

（6）三极管处于放大状态的条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。对NPN型管要求U_C＞U_B＞U_E；对于PNP管，要求U_C＜U_B＜U_E。

（7）场效应晶体管有结型场效应管（JEFT）和绝缘栅型场效应管（MOS）。

JEFT有N沟道和P沟道两种类型，结型场效应管都属于耗尽型场效应管，工作时所加电压应使JEFT内两个PN结均反向偏置。

绝缘栅型场效应管也有N沟道和P沟道两种类型，另外按照u_GS=0时是否存在导电沟道，又可分为增强型和耗尽型两种。

场效应管属于电压控制器件，它是靠栅-源电压u_GS来控制漏极电流i_D，即i_D=g_mu_GS。

（8）单向可控硅是一种可控整流电子元件，是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。

（9）复合管又称达林顿管。它将两个三极管串联，以组成一只等效的新的三极管。这只等效三极管的放大倍数是原二者之积，因此它的特点是放大倍数非常高。达林顿管的作用一般是在高灵敏的放大电路中放大非常微小的信号，如大功率开关电路。